买卖IC网 >> 产品目录 >> HN7G04FU-A(TE85L,F 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V 10K x 47Kohms datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

HN7G04FU-A(TE85L,F

库存数量：可订货
制造商：Toshiba
描述：两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V 10K x 47Kohms
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V 10K x 47Kohms
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制造商 Toshiba
配置 Dual
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 5 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT 130 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 300
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 ES-6
相关资料
属性
链接
代理商 HN7G04FU-A(TE85L,F
HN7G05FU(TE85L,F)
HN7G06FE-A(TE85L,F
HN7G06FU-A(TE85L,F
HN7G07FU-BTE85L
HN7G07FU-BTE85LSOT363-75B
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